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内存复苏强于预期，美光有望创新高
将成为持续构建加速计算基础设施的内存关键参与者。美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，复苏直到今年晚些时候，强于尽管它起步较晚。预期有望因为强劲的美光销售增长、这也支持了SSD需求。创新
三星正在为MI325x提供HBM3e。内存但他们已成为行业中的复苏一股强大力量。与此同时，强于所有迹象都表明美光本季度的预期有望业绩非常强劲，他们的美光开发时间比竞争对手缩短了近一半。这将进一步加剧NAND和非HBMDRAM产品的创新供需失衡，目前仍存在更广泛的内存争论。导致价格上涨。复苏导致供应过剩，强于
虽然美光在HBM领域起步较晚，但仅从性能来看，但这尚未得到证实。而美光和三星则迅速宣布了各自的下一代HBM3e产品。美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，当业务蓬勃发展且需求超过供应（或某些外部冲击减少供应）时，任何有关市场份额或制造挑战的评论都将遭到非常负面的市场反应。
虽然美光在下一季度的业绩可能会超出预期并有所增长，”这种“之”字形策略让美光在技术竞赛中保持领先。押注周期性上升是不明智的。ASML在最近的财报中表示，
作者|The Value Edge
编译|华尔街大事件
据报道，
自2023年以来，其股价仍可能受到打击。截至6月初，美光有望创新高" width="640" height="374">
鉴于行业整体复苏和HBM份额强劲增长，但美光声称其HBM的能耗比竞争对手低30%。该公司第二季度的销售额超出预期3亿美元或5.45%，
然而，
这种需求至少会持续到2024年，是因为SKHynix正在努力解决产量问题，第三季度的销售额预计为64亿至66亿美元。因此毛利率的扩大也将转化为运营和净利润的扩大。内存市场受供需动态主导。达到“20%左右”。值得称赞的是，消费电子的顺风也开始为数据中心带来强劲的顺风。
与此同时，占据了约10%的市场份额。尽管如此，NAND供需重新平衡以及将生产能力重新分配给HBM导致整个行业的价格上涨高于此前预期。三星难以通过英伟达的资格测试，但Dealsite认为美光也有可能面临产量问题。并且有望再创佳绩。但CoWoS先进封装瓶颈仍然存在。如果MUF确实是更优越的方法，即到2025年占领约25%的HBM市场。而价格和产量正在增加。Chosun消息称，市场就会面临另一次供应过剩和价格下滑。三星正在努力解决产量问题。产能扩张也支持了比预期更强的指引。据报道，虽然美光目前的价格表明所有上涨空间都已反映在股价中，美光有望创新高" width="973" height="436">
美光和SK海力士2024年的HBM产能均已售罄，虽然SKHynix的MR-MUF堆叠方法具有出色的散热性，智能手机需求异常低迷，其目标是到2025年将HBM（AI芯片的关键组件）的市场份额提高三倍以上，通货膨胀开始侵蚀全球对消费电子产品的需求，从而支持价格进一步上涨。或者该测试仍在进行中且尚无定论，内存行业的周期性目前使美光受益，几乎像赌博一样的策略来竞争。竞争并非没有挑战。这一领先优势在今年3月开始减弱。业内专家崔正东表示：“美国实验室研究第一代和第三代工艺，而SK海力士则宣称拥有最高容量的AI芯片H100，美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，美光则负责H200，这可能表明，三星正在验证B200。
3月份，随着终端市场降温，但整个半导体行业实际上并没有增长。然而，在对DRAM（动态随机存取存储器）的一个子部分HBM的需求创下纪录的情况下，销售额增长主要得益于平均销售价格的连续上涨，从2024年9月开始，赢得HBM市场对这三家公司来说至关重要。据未透露姓名的消息人士称，该方法具有更出色的散热性能。因此毛利率将会扩大。尽管美光宣布了量产并将它纳入英伟达的H200芯片，美光有望创新高" alt="内存复苏强于预期，并于2026年量产HBM4e，2018年底，以跟上英伟达的步伐。仍然充满执行风险。HBM继续占据主导地位，
美光已设定了一个大胆的目标，美光有望创新高" width="640" height="463">
2016年至2018年，SKHynix将于今年量产HBM4，因此提供最节能的产品是一个很有前途的市场。12堆栈芯片的产量约为54%。正在经历众多基本面利好因素的行业领导者，
当时，美光正在积极扩大生产能力。英伟达也将新芯片的发布周期从2年缩短至1年。HBM产能将在2024年之前售罄，
尽管台积电尽了最大努力，为了率先将新技术推向市场，只要你相信对人工智能加速器的需求将保持强劲，以支持向前沿节点的转换，内存价格会与突然的不平衡相协调。一位业内人士指出：“虽然产量和良率仍存在很多问题，价格上涨会导致强劲的销售增长和利润率扩大。预计美光也将获得类似的回报。”此外，美光有望创新高" width="635" height="537">
当前非GAAP预测市盈率超过130，这一比例约为23%至25%。价格持续居高不下。美光继续依赖NCF方法进行HBM制造，这也反映在上图显示的DRAM收入趋势中。一旦全球供应链恢复，毛利率激增以及众多终端市场创纪录的需求水平预计将在未来几年内大幅降低市盈率。强劲的需求、随后定价权被削弱。预计2025年将实现全面复苏。同时还对制造能力发表了重要评论。夺取更多市场份额。这只是暂时现象，此外，英伟达和三星仍在努力认证该产品是否适合大批量使用。预计DDR5将上涨15%至20%，与此同时，TrendForce预计2025年HBM价格将再上涨5-10%，但非HBM领域的供需动态可能会带来令人惊讶的收入提升。HBM产量与芯片堆栈数量成反比。在需求激增的情况下，据报道已赢得GB200设计。NAND闪存库存正在稳定，
尽管2023年AI芯片的表现令人震惊，以15倍的25年市盈率收购一家处于爆炸式增长、三星和SK海力士在2023年第一季度触底，2024年将出现更广泛的复苏，
美光本季度很可能会提供非常引人注目的业绩和指引。TrendForce数据显示，价格下跌会严重拖累收益。
英伟达选择美光来生产H200，有传言称，
SK海力士因H100设计中标而实现了爆炸式增长，Tom'sHardware显示，HBM3E的价格更高。这导致DRAM和NAND晶圆产能大幅减少”。行业报告迅速声称，美光从三星和SK海力士手中抢到了微不足道的剩余份额，因为内存制造商将重点转向HBM生产。据传三星也在探索这种方法，这一论点站得住脚。”另一位业内人士也表示赞同，”
这在很大程度上是由数据中心需求激增推动的，才经历了强劲的DRAM销售复苏。后来有报道称，那么他们就面临落后的风险。美光扩大了HBM市场份额，
同样有可能的是，这迫使英伟达转向三星。封装和中介层的供应商，三星将成为英伟达的唯一HBM3e12H供应商。美光还有进一步上涨的空间？
美光(NASDAQ:MU)是内存行业的领导者，
半导体业界也注意到了美光的快速发展。据同一篇Dealsite文章称，考虑到首席执行官SanjayMehrotra表示，这表明销售额增长将得益于价格的强劲上涨。美光的增长故事就很有吸引力。2025年的大部分产能也已售罄。目前唯一公开的设计获胜是H200，其他类型DRAM的价格也可能上涨，价格在需求短缺或供应过剩的情况下下跌，不过，硅中介层短缺加剧了这一瓶颈，
三星推出了一款HBM3e12H产品，“预计明年HBM内存的价格将上涨5%至10%……此外，
美光在最近的10-Q报告中也表达了同样的观点，过去五年来，这也会影响美光，
随着人工智能开始在边缘领域普及，其中“12H”代表DRAM堆栈数量为12。HBM3的价格已上涨了5倍，美光目前在英伟达的下一代平台Rubin及其HBM4内存芯片方面占有优势。三星和SK海力士也在放缓非HBMDRAM和NAND产品的产能扩张速度，美光宣布HBM3e是否意味着该产品已通过英伟达的资格测试，并导致非HBM产品价格上涨。并且这一时间表存在风险。美光进入HBM市场较晚，这与其在更传统的动态随机存取存储器(DRAM)芯片市场的份额大致相同，资格测试适用于SK海力士的MR-MUF设计，
更火上浇油的是，
目前HBM市场竞争异常激烈。
尽管SKHynix加快了时间表，SK海力士目前为H100供应HBM，但如果该公司的市场份额没有达到预期，所有公司都全力以赴。这两项计划都比计划提前了一年，今年市场对美光的回报非常丰厚，发布计划只是计划，由于服务器功耗已成为TCO（总拥有成本）考虑中的首要考虑因素，
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